| 型号：NSBA144EDXV6T5 | 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 | 制造商：ON Semiconductor |
| 封装：SOT-563，SOT-666 | 描述：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563 | |
详细参数
| 类别 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
|---|---|
| 描述 | TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563 |
| 系列 | - |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 电流_集电极（Ic）111最大222 | 100mA |
| 电压_集电极发射极击穿111最大222 | 50V |
| 电阻器_基极（R1）111欧222 | 47k |
| 电阻器_发射极（R2）111欧222 | 47k |
| 在某IceeeVce时的最小直流电流增益（hFE） | 80 @ 5mA，10V |
| IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222 | 250mV @ 300µA，10mA |
| 电流_集电极截止111最大222 | 500nA |
| 频率_转换 | - |
| 功率_最大 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SOT-563 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳兴中扬电子科技有限公司 | 张生0755-83747144 |
| 深圳市正信鑫科技有限公司 | 小邹0755-22655674/15099917285 |
| 深圳市海虹微电子有限公司 | 赵小姐086-0755-83291010 83678410 |
| 深圳市潮南大宇电子有限公司 | 陈小姐/陈先生0755-23956875\23956877 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
| 深圳市徕派德电子有限公司 | 朱小姐0755-82723916/82731800 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 深圳信泰电子器材有限公司 | 廖先生0755-83242658 |
| 深圳市翔哲科技有限公司 | 朱18026926850/0755-83247709/0755-83247721 |
| 深圳市欧和宁电子有限公司 | 李小姐 0755-29275935 |
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1210（3528 公制）
CAP NIOB OXIDE 68UF 4V 1210
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- MGA-425P8-BLK
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1206（3216 公制）
CAP CER 0.22UF 100V 10% X7R 1206
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16-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SOIC
- NP0J1A300A
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SOT-963
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- HMK316B7224KL-T
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1206（3216 公制）
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2312（6032 公制）
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1206（3216 公制）
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- MIC2182-5.0YSM TR
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16-SSOP（0.209＂，5.30mm 宽）
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Avago Technologies US Inc.
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- NOJA226M004RWJ
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1206（3216 公制）
CAP NIOB OXIDE 22UF 4V 1206
- HMK316B7474KL-T
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- NOJC336M010RWJ
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CAP NIOB OXIDE 33UF 10V 2312
- MIC2182BSM
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器
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16-SSOP（0.209＂，5.30mm 宽）
IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SSOP
- NP100P06PLG-E1-AY
FET - 单
Renesas Electronics America
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263
- NOJA475M006RWJ
氧化铌
AVX Corporation
1206（3216 公制）
CAP NIOB OXIDE 4.7UF 6.3V 1206
